Цепь переключения уровня от 5 В до 3,3 В

Я подключаю SD-карту к Z80, одна из которых использует логику 5 В (Z80), а другая использует логику 3,3 В (SD). Я полагаю, что сдвиг уровня с 3,3 В на 5 В будет обеспечиваться микросхемой 74HC595, которую я использую для преобразования последовательного ввода в параллельный (он считает 3,3 В высоким логическим уровнем и будет выводить логику 5 В на Z80). Однако 74HC165, который я использую для вывода последовательных данных (MOSI) с Z80 на SD-карту, будет выдавать 5-вольтовую логику, которая может сжечь SD-карту.

У меня нет никаких микросхем переключения уровней, и я хотел бы избежать необходимости ждать, пока одна из них прибудет по почте. Я читал, что могу использовать грубую схему деления напряжения на линии MOSI, но я читал, что это может вызвать проблемы на более высоких тактовых частотах. Будет ли работать следующая схема с двумя транзисторами NPN (переключение входного напряжения на 5 В и выходного напряжения на 3,3 В)?

Или было бы лучше заменить крайний левый транзистор инвертором, который питается от базы крайнего правого транзистора, сохраняя заземление эмиттера и подтягивая напряжение коллектора до 3,3 В? Сигнал 5 В MOSI от 74HC165 будет подаваться на вход инвертора, а вывод 3,3 В MOSI карты SD будет подключен к коллектору транзистора. Так что, если я не ошибаюсь, если на выходе низкий логический уровень, инвертор будет питать базу транзистора, в результате чего выход на SD-карту также будет иметь низкий логический уровень. Если на выходе высокий логический уровень 5 В, инвертор не будет питать базу транзистора, в результате чего на выходе SD-карты будет высокий логический уровень 3,3 В.

Или это все еще будет грубо? Пока будет точная передача данных при правильном напряжении, меня это не волнует. Но, пожалуйста, дайте мне знать, что вы думаете. Если это приведет к неточной или противоречивой передаче данных, я бы предпочел просто дождаться правильной ИС.