Управление MOSFET с отрицательным напряжением затвора в закрытом состоянии

Использование отрицательного напряжения увеличит время задержки включения, а не фактическое время нарастания включения. Это уменьшит время задержки выключения, поскольку будет более высокая разность напряжений, чтобы снизить напряжение затвора ниже порогового значения.

Рассмотрим 2n7002: Cgs = 4,5e-11 Ф, рассматриваемый как классическая емкость с резистором затвора 100 Ом:

Время достижения порога строба для включения больше, НО быстрее для выключения.

Преимущества заключаются в повышении устойчивости к паразитному включению из-за конденсатора Миллера во время переходных процессов переключения. Подумайте об этом так: переключение полевого транзистора — это перемещение заряда на затвор-исток и выключение. Теперь это может произойти из-за вашего привода затвора, но это также может произойти из-за паразитного.

Если учесть Q = CV и$\Delta V$составляет 2,5 В для привода 0:15 В и 17,5 В для привода -15:15 В, видно, что биполярный драйвер более устойчив к инжекции заряда, будь то из-за плохой конструкции привода затвора (низкий уровень возбуждения, высокий импеданс) , плохая компоновка или приложения высокой мощности/высокой скорости.

Рассмотрим модель полевого транзистора с малой сигнальной емкостью и рассмотрим привод затвора 0 В с резистором затвора 1 кОм.

Очень высокий резистор затвора и очень резкое возмущение питания, чтобы подчеркнуть суть

С затвором 0:15 В имеется достаточный заряд, чтобы потенциально довести напряжение затвор-исток одного или обоих полевых транзисторов до его порогового напряжения.

С приводом -15:15 В связь все еще возникает, НО теперь напряжение затвора не увеличивается настолько, чтобы потенциально начать проводимость.