Я имею дело с простым приложением, в котором мне нужно управлять чисто резистивной нагрузкой и управлять ею по напряжению. Я управляю нагрузкой через ШИМ-сигнал, поступающий от микроконтроллера в логике 5В. Частота ШИМ может быть легко установлена от нескольких герц до нескольких кГц. Напряжение питания 24В, максимальный потребляемый ток 15А. Интересно, каковы преимущества использования более сложной двухтактной конфигурации по сравнению с использованием одного мощного мосфета? Я знаю, что двухтактные конфигурации обычно считаются более эффективными, но как насчет использования одного MOSFET с чрезвычайно низким rdson? Например, одного IRFS7430-7PPBF будет достаточно? При требуемых значениях тока этот MOSFET рассеивает всего 0,17 Вт в наихудших условиях. На данный момент я бы предпочел конфигурацию с одним мосфетом более сложной и дорогостоящей двухтактной конфигурации. Что делать, если необходимо линеаризовать выходной сигнал каскада возбуждения с катушкой индуктивности и конденсатором? Будет ли двухтактная конфигурация давать большие преимущества по сравнению с одним мосфетом?
Если вы не возражаете, что резистивная нагрузка получает ШИМ-сигнал с усилением мощности, то наиболее эффективным будет один полевой МОП-транзистор, переключаемый на частоте ШИМ.
Если вы не возражаете (потому что вам нужно линейное напряжение, пропорциональное рабочему циклу на нагрузке), то двухтактный с фильтрацией индуктора и конденсатора будет наиболее эффективным. Следующим наиболее эффективным будет один полевой МОП-транзистор с диодом захвата обратной ЭДС, но диод будет рассеивать довольно много ватт.
Однако решение с одним полевым МОП-транзистором сложнее сделать с точки зрения отношения метки к пространству. Двухтактная версия обеспечивает среднее выходное напряжение, которое равно рабочему * входному напряжению, т.е. в значительной степени зависит от значения нагрузки.
Вы можете спроектировать чисто линейное решение с одним полевым МОП-транзистором, но это будет производить много тепла.
ПлазмаHH