Я много читал о защите MOSFET и построил эту схему.
смоделируйте эту схему - схема, созданная с помощью CircuitLab
Я думал, что гейт и ДС достаточно защищены, но опыт показал, что я ошибался. Я сделал 3 печатных платы и все взорвались. Двигатель при непрерывной работе потребляет 20А, но я уверен, что перегрузка по току или потеря мощности не были причиной перегорания MOSFET.
1. Почему не работает?
Теперь я знаю, что D2 должен быть между R2 и SW1, но что еще может привести к повреждению?
2. Как я могу сделать это максимально безотказным?
Я видел схему, где между стоком и затвором был добавлен двунаправленный диод TVS, но лучше ли это решение, чем однонаправленный диод TVS между истоком и стоком?
Во-первых, индуктивность вашего двигателя с 1 мкГн совершенно нереалистична ... Более реалистичное значение было бы в диапазоне миллигенри.
Во-вторых, я думаю, ваша проблема в том, что у вас есть состояние перенапряжения в стоке к напряжению источника. Ваш затвор кажется хорошо защищенным диодом TVS и резистором 100 Ом последовательно с затвором. Однако вам нужен диод с быстрым восстановлением на двигателе. Когда транзистор выключается (или становится разомкнутой цепью, как предпочитают говорить другие), ток, захваченный индуктивностью двигателя, должен иметь возможность куда-то течь, и именно здесь вступает в действие диод быстрого восстановления. В вашем диапазоне напряжений диод Шоттки идеально подходит для размещения встречно-параллельно двигателю.
Если вы этого не сделаете, высокая индуктивность в вашем двигателе вызовет сильное перенапряжение, которое может значительно превысить максимальное напряжение стока к источнику (30 В в вашем случае). Вы можете подумать, что TVS-диоды могут шунтировать перенапряжение, но для этого они должны проводить большой ток, для которого TVS-диоды не предназначены. Вот почему диод Шоттки или диод с быстрым восстановлением гораздо лучше подходят для вашего приложения.
Я надеюсь, что этот ответ решит вашу проблему!
Рассмотрим индуктивность в ИСТОЧНИКЕ, если коммутируется 20 ампер. Предположим, что индуктивность равна 20 наногенри (около 1 дюйма провода). Предположим, что 20 ампер переключаются за 20 наносекунд. Что происходит? V = L * dI/dt
Delta_V_Source = 20 нГн * 20 ампер/20 нСм = 20 вольт
Ваш FET не выключен. Пока этот переход не завершится.
Также может резонировать индуктивность плюс Cgate. Установите сопротивление 100 Ом, расположив корпус резистора прямо напротив вывода Gate. (ворота-стопор R).
Кроме того, как далеко находится блок питания? Метр? 1мкГн провода. Поместите 0,1 мкФ прямо между верхней частью двигателя и плоскостью заземления. Цель: минимизировать площадь контура, тем самым минимизировать накопленную энергию магнитного поля.
Эван
Петр
Винни
Петр
Эван
Петр
Винни
Петр