Управление MOSFET с помощью микроконтроллера

Я пытаюсь использовать полевой МОП-транзистор с p-каналом ( FQP27P06 ) для мультиплексирования четырех больших семисегментных дисплеев с общим анодом. Я использую высоковольтный сильноточный регистр сдвига TPIC6B595 , чтобы поглотить сегменты для каждой цифры.

Я хотел бы использовать MOSFET для мультиплексирования и управления яркостью четырех цифр, подавая на общий анод 18 В.

Вот простая схема управления МОП-транзистором. Меня беспокоит то, что когда MOSFET «открыт», я вижу 18 В на выводе, который будет подключен к микроконтроллеру.

Введите описание изображения здесь

Нужен ли NPN-транзистор?

Вторая схема имеет дополнительный резистор, образующий делитель напряжения для ограничения напряжения, подаваемого на затвор MOSFET. Я не думаю, что это необходимо с этим MOSFET.

Я собрал схему на макетной плате, но не решаюсь подключить ее к Arduino.

Пожалуйста, поделитесь таблицей данных для TPIC656 (не могу найти такую ​​часть на TI.com).
@PeterMotesensen, пожалуйста, прекратите вносить абсурдно тривиальные правки в древние вопросы - это просто добавляет шума на сайт без какой-либо пользы.

Ответы (1)

Правильно: делитель напряжения не потребуется для конкретного полевого МОП-транзистора с p-каналом, поскольку его напряжение затвор-исток номинально +/- 25 вольт.

Транзистор NPN необходим, потому что вы не хотите подвергать Arduino GPIO напряжению 18 вольт.

Что еще более необходимо, так это базовый резистор на биполярном транзисторе. Это полезно для того, чтобы ток база-эмиттер не превышал рекомендуемый рабочий ток вывода GPIO — лично я предпочитаю 25 мА, а максимальное значение для ATmega328 — 40 мА. Другие микроконтроллеры, используемые в различных моделях Arduino, имеют разные номиналы.

Предполагая, что используемая модель Arduino представляет собой 5-вольтовую модель, базовый резистор должен быть рассчитан на максимальный ток 25 мА, таким образом: R = (5 - 0.7) / 0.025 = 172 ohms, поэтому резистор на 180 Ом между контактом GPIO и базой Q1 будет достаточно хорошим.

Также желательно убедиться, что ток коллектора Q1 не превышает 200 мА, номинального максимума для 2N3904 . Даже при токе 100 мА на резисторе R1 рассеивание тока резистором, когда транзистор Q1 находится в проводящем состоянии, составит недопустимые 1,8 Вт. Следовательно, лучше всего ограничить ток коллектора примерно 10 мА: R1=1.8kмощность на резисторе 180 мВт.

Извините за номер детали. Сдвиговый регистр высокой мощности. TPIC6B656. Большое спасибо за ответ. У меня должно быть что-то обратное на макетной плате, я все еще вижу 18 В на базе BJT. Это просто результат чувствительного цифрового мультиметра с высоким импедансом?
@TravisMcgee Я не могу понять, почему вы видите базовое напряжение, равное напряжению питания - вы уверены, что правильно идентифицировали контакты BJT? Если бы источник питал базу, то да, и коллектор, и эмиттер могли бы показывать почти напряжение питания, так как базовый переход действовал бы как диод.
Спасибо, удалил все с макета и начал заново. Circui работает как положено.
The NPN transistor is necessary because you would not want to expose the Arduino GPIO to 18 Volts.. Более подробно этот момент объясняется в видео SparkFun По Питу 3-5-12: Мосфеты , начиная с 16:16
Управление MOSFET с помощью микроконтроллера
СпросиСетьПолитика конфиденциальности1y, 0v