Вопрос проектирования MOSFET H-Bridge

У меня есть несколько вопросов относительно дизайна H-Bridge, который мне нравится. Мне немного трудно понять некоторые его части.

Так что это дизайн, который я нашел в Интернете здесь .введите описание изображения здесь

Я изменил напряжение двигателя и значения резисторов на транзисторах с 10 кОм до 3,3 кОм. Итак, вопросы у меня

1) Являются ли подтягивающие резисторы 10 кОм слишком высокими для P-Channel Mosfets? Они должны быть ниже?

2) Почему для N-канальных МОП-транзисторов напряжение 9 В поступает на резистор 10 кОм, а затем транзистор на землю? Разве я не могу переключить сторону N-Channel с помощью чего-то подобного?введите описание изображения здесь

3) Будут ли номиналы резисторов замедлять переключение N-канальных МОП-транзисторов?

Я планирую запустить H-Bridge с помощью Arduino. N-канальные МОП-транзисторы — FQP30N06L , а P-канальные МОП-транзисторы — FQP27P06 . Я планирую использовать транзистор 2N2222a .

Есть ли какие-либо проблемы с этим дизайном, которые я упустил или неправильно понял, или все должно работать так, как ожидалось? Спасибо.

Также при подключении земли источника 9 В я подключаю землю ардуино к земле мосфетов и транзисторов? Земля всегда везде одна и та же, верно?

Какова мотивация использовать 5В вместо 9В для подтягиваний?
Подтягивания на P-Channel Mosfet составляют 9 В. Для N-Channel Mosfets я просто не знал, будет ли разница.

Ответы (2)

Это было в Интернете, это должно быть хорошо?! Резисторы с высоким сопротивлением делают привод пригодным только для низкочастотных и небольших полевых МОП-транзисторов с высоким сопротивлением. Уменьшение номиналов резисторов несколько поможет, но при этом будет потрачено больше энергии. Быстрое включение MOSFET и медленное выключение - это рецепт прострела, если вы не очень осторожны. Схема привода P-Chanel должна быть изменена. Вторая диаграмма будет более ненадежной, чем первая.

Хорошо. Будет ли мне лучше контролировать каждый мосфет отдельно? Если да, то резисторы какого номинала следует использовать для подтягивания и подтягивания? Также насколько быстрый PWM считается быстрым и медленным?

Это зависит от того, насколько быстро вы хотите управлять Н-мостом.

Фаза драйверов N-ch инвертирована на 2-м рисунке - вам нужно поменять местами вход 1A и -1B внизу.

Вы, вероятно, получите некоторые сквозные токи, когда цепь переключается - возможно ли, что P-ch включается до того, как N-ch выключается. Ваши медленные драйверы могут несколько смягчить это, но это зависит от деталей полевых транзисторов (сопротивление во включенном состоянии, емкость и т. д.).

4 стабилитрона на входе бесполезны: а) полевые МОП-транзисторы будут ограничивать любые индуктивные выбросы, генерируемые двигателем; б) стабилитроны должны быть очень большими, чтобы фиксировать любые пики на самом источнике питания. Просто удалите их.

Я не использую стабилитроны. Это диоды Шоттки. Я читал во многих местах, что лучше иметь их на всякий случай, чтобы, если что, я не испортил мосфеты.
В этом приложении они не нужны и в любом случае не защитят полевые транзисторы.
Действительно? Так почему же многие конструкции H-Bridge, на которые я смотрю, включают их?
Не верьте всему, что видите в интернете! Диоды необходимы, если драйвер однотактный (для зажима индуктивных шипов); если некоторые компоненты схемы не подключены напрямую к полевым транзисторам (например, есть длинные провода к D и S полевых транзисторов), но в этом случае вам нужны диоды в цепи, а не полевые транзисторы. Кроме того, если у вас есть IGBT (которые могут использоваться в инверторе высокой мощности 600 В), им нужны диоды.
Значит, мне вообще не нужны диоды в схеме, потому что они уже есть в мосфетах? Хорошо, этот дизайн H-Bridge лучше? i.stack.imgur.com/Ywvbc.png
Вопрос проектирования MOSFET H-Bridge
СпросиСетьПолитика конфиденциальности1y, 1v