Что вызывает этот сдвиг уровня в моей волне?

Извините за качество, извините;

введите описание изображения здесь

КРАСНЫЙ - ВОРОТ Q2. ЖЕЛТЫЙ - ВОРОТ Q4.

ВХОД 5 В НА ВСЕХ ЭТАПАХ

Каковы возможные причины того, что мой H-мост имеет небольшой «удар» при отключении высокой стороны?

Это отражено и в Vin(мосте);

введите описание изображения здесь

Схема:
введите описание изображения здесь
(также здесь )

Я добавил новый блестящий керамический конденсатор к соединению Vbridge и GND, но без кубиков. Может ли быть так, что заземление, общее с заземлением моего H-моста, плохо? Или, возможно, конденсатор отказывается разряжаться ниже 6 В~ по более неясной причине?

РЕДАКТИРОВАТЬ: Он работает с нагрузкой 15-20 мГн, но удар присутствует при нагрузке без нагрузки и резистивных нагрузках порядка 1000 Ом, 100 Ом, 10 Ом.

РЕДАКТИРОВАТЬ 2: Кроме того, я заметил, что если я подаю на мост более 17 В, источник питания, который я использую, просто отключается, и мне приходится перезапускать цепь.

EDIT3: Вот несколько изображений измерений, которые я сделал.

Q2 СТОК к GND

введите описание изображения здесь

Q2 ИСТОЧНИК к GND

введите описание изображения здесь

Q1 ИСТОЧНИК к GND

введите описание изображения здесь

Q1 и Q2 GATE на GND (10 В)

введите описание изображения здесь

НОВЫЕ ВОЛНЫ

ВЫХОД H-МОСТА 5 В

введите описание изображения здесь

ВЫХОД 10 В

введите описание изображения здесь

Ворота Q2/12 В

введите описание изображения здесь

Какую нагрузку несет мост? Что за белая волна на первом изображении?
15-20 мГн, высокая/низкая сторона. Красный и желтый соответственно.
Напряжение на затворе тоже интересно
@PlasmaHH Ну, судя по моему первому изображению, напряжение на стороне высокого напряжения составляет около 15 В, на стороне низкого напряжения - 10 В. Это то, что вы имели ввиду?
@ARMATAV: а, ладно, я не знал, что ты имеешь в виду врата, я думал, ты имеешь в виду сток/источник
@PlasmaHH О, я предположил, что изображение слишком «белое» для людей, поэтому я хотел убедиться. Но да, это напряжение затвора, и по какой-то причине верхняя сторона не отключится, пока не включится низкая сторона. Он сидит на 6V~.
Какая именно точка на схеме является оранжевой, а какая белой?
@ARMATAV: Было бы полезно, если бы вы отредактировали информацию, относящуюся к схемам, в вопрос, например, «красная дорожка - это ворота Q2», чтобы люди, незнакомые с вашей конкретной схемой, сделали то же самое для второй. Кстати. какова цель D5?
@PlasmaHH Эти диоды не дают шипам затвора разрушить полевые МОП-транзисторы, вместо этого направляя их к источнику, также я отредактировал этот материал на вопрос
@WhatRoughBeast Ворота Q2 для «красного/оранжевого» и ворота Q4 для «желтой/белой» трассы.
Я предлагаю вам избавиться от этих стабилитронов на 15 В. Они мешают управлению напряжением затвора ваших драйверов с усилителем, а не помогают.
@ARMATAV: какое напряжение на источнике во время фазы «удара»?
@PlasmaHH Для меня это похоже на всплеск до 6 В ~. Здесь я тоже отредактирую; i.imgur.com/NIzKYm8.jpg «Вход» на мост во всех этих случаях был 5В.
@KyranF Как насчет перехода на более высокое напряжение? Мои полевые МОП-транзисторы просто мгновенно покончат с емкостью затвор-сток/затвор-исток, верно?
Я видел высоковольтные схемы управления затвором MOSFET до 80 В, которые, безусловно, все еще подвержены емкостным эффектам, как вы упомянули, и напряжения затвора полевых транзисторов определенно не могут выдерживать 80 В, но ни один из них не имеет ничего похожего на 15-вольтовые стабилитроны, которые вы подключаете. Источник к воротам
@KyranF Я сделал один с выпрямленной сетью 170 В постоянного тока + смещение затвора 10 В для питания катушки Тесла, шипы затвора разрушили его в течение 5 минут работы. semtech.com/images/datasheet/…
Возможно, это было что-то еще, не могу сказать, не имея полной картины (включая настройку теста и т. Д.). Но я думаю, что если вы попробуете быструю 1-минутную операцию без стабилитронов, вы сможете улучшить поведение. Кроме того, на этой схеме показан диодный зажим для заземления для драйвера H-моста с плавающей высокой стороной, я очень сомневаюсь, что он предназначен для работы так же.
@KyranF Хорошо, попробую, спасибо. Какой диод вы имеете в виду? ИК-драйвер имеет плавающую только верхнюю сторону, нижняя сторона, насколько мне известно, находится на отдельном острове, поэтому диодный зажим на землю будет влиять только на низкую сторону.
на схеме D5 и D6
@KyranF Ваше предложение действительно очень помогло, теперь я могу подключить катушку к напряжению выше 20 В. Однако после 28 В он отключается. Я почти уверен, что это отрицательные всплески напряжения на затворе. Есть ли какое-нибудь решение, чтобы заставить его не опускаться до -10 В (что является порогом для моих драйверов / полевых транзисторов, чтобы все отключить)?
зажимные диоды к GND должны фиксировать это, как и для всех цепей индуктивной нагрузки. независимо от того, какой затвор/узел получает -10 В, на него поместите диод высокой мощности (например, не диод с малым сигналом с номинальной мощностью <1 Вт, выберите диод с номинальной мощностью 3-5 Вт) и поместите его с катодом диода к сигнал, который вы хотите защитить, и анод к GND. Во время скачка отрицательного напряжения диод будет проводить «вперед» от отрицательного V_forward диода к GND. Таким образом, Шоттки даст максимальное фиксированное напряжение от -0,5 В до 0,7 В в зависимости от диода, а стандартный диод в худшем случае зафиксирует до -1,1 В.
@KyranF Но разве вы не сказали мне: «Кроме того, на этой схеме показан диодный зажим на землю для драйвера H-моста с плавающей высокой стороной, я очень сомневаюсь, что он предназначен для работы так же»? Проблема с высокой стороной, и я бы просто добавил еще один диод, но с максимальным обратным напряжением, которое больше, чем у стабилитронов на 15 В.
А также, иду ли я от затвора к истоку на стороне высокого напряжения (поскольку он будет подключаться к земле при переключении моста), или я делаю это прямо на землю с обратным напряжением>, чем напряжение, которое получит моя схема начальной загрузки?
@KyranF У меня есть несколько диодов TVS на 600 В, они подойдут? Прямое падение составляет какой-то нечетный 1V~ или что-то подобное.
вы хотите защитить только затвор со ссылкой на землю - одна проблема заключается в том, что затвор имеет плавающее напряжение, обеспечиваемое драйвером начальной загрузки. Какой бы ни была «земля» для схемы начальной загрузки, это то, что вы зажимаете диодом на затворе, чтобы избежать перехода в «отрицательное состояние». Кроме того, -20 на самом деле может не выходить за рамки характеристик затвора вашего MOSFET - большинство из них имеют номиналы, такие как +-20 В или +-25 В и т. Д. Проверьте свои. Для полевого транзистора с низкой стороной вы должны зажать диод на землю, как я уже упоминал. С высоковольтным напряжением будет сложнее разобраться, но, как я уже сказал, у высоковольтной цепи есть своя «земля».
Диод TVS с номинальным напряжением 600 В, вероятно, будет работать достаточно хорошо, но, возможно, это излишество ... решать вам. Я бы взял сверхбыстродействующие диоды Шоттки, но это только потому, что они мне нравятся в моих приложениях с более низким напряжением, хе-хе.
Холодные бобы. Взял несколько шоттки на 300 В с быстрым восстановлением, кстати, эти шипы предназначены только для ворот на фактическую землю. Это похоже на то, что он немного просачивается из плавающего источника в обычный источник. Поэтому вместо этого я прижал верхний боковой затвор к земле, и это полностью решило проблему. Он поддерживает всплеск 10 В при 25 В постоянного тока до 5 В даже при 30 В постоянного тока.

Ответы (1)

Это довольно просто. Когда Q2 выключен, Q4 уже выключен. В результате на выходе LVCoilA остается промежуточное напряжение. Это, вероятно, определяется комбинацией токов отключения двух полевых МОП-транзисторов в сочетании с емкостями каждого полевого МОП-транзистора, образуя своего рода делитель напряжения. Если вы посмотрите одновременно на затвор Q2 и LVCoilA, вы увидите, что затвор настроен на опорное значение загрузочного драйвера, которым является LVCoilA, в данном случае около 6 вольт. Поскольку LVColA также является источником Q2, Q2 отключен.

Когда Q4 включен, вы увидите, как LVCoilA, а также ворота Q2 опускаются на землю.

Что касается шума на шине напряжения, чтобы понять его смысл, вы должны одновременно отображать (например) вентиль Q2 и +12. В настоящее время две трассы отличаются на x5 по временной шкале, и нет очевидного способа быть уверенным, какие +12 переходные процессы происходят с какими событиями ворот.

Эй, спасибо за ответ. Итак, если я вас правильно понял, вы говорите, что мои измерения между затвором Q2 и GND являются неверным представлением того, что происходит на самом деле, и что затвор Q2 на LVCoilA отключается правильно? Если это так, взгляните на это (игнорируйте сдвиг уровня); i.imgur.com/mhD8E05.jpg это затвор Q2 для LVCoilA в сочетании с затвором Q4 для GND. Хорошо ли мне тогда? Кроме того, что касается вашей заметки о шуме, я обязательно прочитаю вам, ребята, как следует, когда буду дома через час. Дело в том, что мой блок питания сам отключается при 17В, и я думаю, что это делает шум.
Я считаю, что вы делаете это правильно. МОП-транзистор заботится только о напряжении затвор-исток, так что это то, что вам нужно измерить. И ради бога, не могли бы вы выключить верхний свет, когда будете фотографировать свой прицел?
Ха-ха-ха-ха, это так ярко, но мне это нравится. Собираюсь передать вам показания Q2/12V.
Эй, приятель, вот показания затвора Q2/12V; i.imgur.com/xKZdCh4.jpg Вот два показания, 5 В и 10 В, фактического выхода H-моста; i.imgur.com/Hhftwyh.jpg и i.imgur.com/LuXrsOs.jpg
Я подозреваю, что то, что вы видите на линии 12 В, - это емкостная связь привода затвора через сток МОП-транзистора. Попробуйте добавить больше емкости к вашей линии 12 В: 10 мкФ и 1000 мкФ, каждая на землю, подключенная как можно ближе к МОП-транзисторам. Для 10 мкФ и существующих 100 мкФ лучше подойдут танталы, чем алюминиевые. Кроме того, убедитесь, что ваши основания и 12 В находятся рядом с полевыми МОП-транзисторами с толстыми дорожками или проводами (я не знаю вашей технологии строительства). Убедитесь, что заземление вашего прицела как можно короче, и как можно ближе к источникам MOSFET.
Хорошо, спасибо. Я подключу эти колпачки к моей печатной плате и исправлю этот беспорядок. Мои драйверы / полевые транзисторы расположены очень близко друг к другу, чтобы убить что-либо подобное, поэтому это должна быть сама линия 12 В. На самом деле, мне пришлось переделывать дизайн этой печатной платы, чтобы попытаться исправить эту самую проблему, она просто не работала, как бы близко я ни ставил полевые транзисторы. Так что это должно быть просто отсутствие сглаживания линии 12В. Еще раз спасибо, я дам вам знать, когда у меня все получится.
Это очень помогло спайкам, и я думаю, что в этом отношении мы в порядке. Тем не менее, они все еще присутствуют, и когда я довожу свою катушку до 25 В через VBridge, моя схема отключается. От затвора к GND на Q2 (верхняя сторона) я получаю обратный всплеск, который увеличивается по величине по мере увеличения VBridge. Если на моем прицеле доходит до -10 В, цепь отключается.
Что вызывает этот сдвиг уровня в моей волне?
СпросиСетьПолитика конфиденциальности1y, 0v