Маршрутизация сигналов USB3

Для всего, что так быстро, я бы начал с 4-слойного стека с заглубленной заземляющей пластиной и немного подумал о стеке.

Вы можете сделать линии 45 Ом (дифференциал 90 Ом) на 1,6 мм DS FR4, но они ОГРОМНЫ и не подходят для этого. Ваш другой вариант, если 2 слоя важны, может состоять в том, чтобы перейти на более тонкую плату, 0,8 мм является стандартной и тоньше, но 4 слоя не имеют большого преимущества по сравнению с двумя и обеспечивают гораздо лучший SI.

CPW может быть возможным, но у него есть свои проблемы, если вы не можете много сшивать.

Шаг 1) Узнайте относительную проницаемость электрического поля FR4 у вашего производителя.

Шаг 2) С помощью калькулятора найдите импеданс дифференциальной микрополосковой линии передачи.

Я включу уравнения ниже:

                                             ] 2

$$Z_d = \frac{174}{\sqrt{\epsilon_r+1.41}}\left(\ln{\frac{5.98*h}{0.8*w+t}}\right)\left(1-0.48\exp{\left(-0.96\frac{d}{h}\right)}\right)$$