Переключатель MOSFET PWM заедает - почему?

При использовании параллельных МОП-транзисторов в выходном каскаде вам следует установить небольшие балластные резисторы (0,2 Ом) на каждую клемму источника для заземления. Это гарантирует, что МОП-транзисторы распределяют ток поровну.

... Это работает следующим образом: если один полевой МОП-транзистор начинает потреблять больше тока, это приведет к снижению Vgs этого МОП-транзистора, что немного отключит МОП-транзистор и перебалансирует ток между МОП-транзисторами.

Кроме того, лучше всего дать каждому MOSFET собственный независимый резистор затвора, это может устранить любые колебания потенциала (по крайней мере, это рекомендуется в схемах усилителя с параллельными выходными транзисторами).

Проблема может быть в коде. Когда есть перенапряжение, вы говорите ему разрядить аккумулятор, но когда он находится под напряжением, вы не говорите ему прекратить разрядку . Если вы говорите ему остановиться, то, скорее всего, вход плавает (вверх или вниз), в результате чего светодиоды остаются включенными.

Я бы сделал несколько вещей.

1) Забудьте о паразитах. На тех уровнях привода, которые вы используете, это не будет проблемой.

2) Ради всего святого, поставьте какую-нибудь развязывающую емкость! 10 - 100 мкФ электролитические и 0,1 мкФ керамические.

3) Поместите светодиод последовательно с R1 и установите его так, чтобы он был виден снаружи корпуса. Когда возникает неисправность, вы можете определить, связана ли она с полевыми МОП-транзисторами или схемой привода затвора.

4) Когда вы говорите, что встряхивание может решить проблему, это встряхивание? Или это трогательный случай, когда берешь в руки? Если это последнее, это говорит о том, что у вас нет надлежащего заземления обратно к источнику команд.

5) Замените R6 на 1k и замените R3 на 10k. Но это незначительные.

6) Вместо R5, управляющего обоими затворами, подключите к каждому затвору отдельный резистор. В данном случае это не должно быть критично, но это хорошая практика.

Я бы изменил положение R1, чтобы оно было справа от R2, а не слева, как показано на прилагаемых схемах, и изменил его значения на 1k.

Таким образом, когда PNP включен, напряжение MOSFET на затворе будет 6 В (12/2), чего достаточно для полного включения. В исходной схеме это 12 В, и при этом большем напряжении нет никакой дополнительной выгоды, наоборот, во входной емкости MOSFET будет храниться больше заряда.

Когда PNP выключен, емкость МОП-транзистора может разряжаться через 1 кОм и, следовательно, будет быстрее разряжаться, чем через 1 кОм8+180 в исходной схеме. Кроме того, любой ток утечки от PNP, «пытающийся» зарядить емкость MOSFET, будет вести себя лучше, чем в исходных схемах, как я попытаюсь уточнить ниже.

^{смоделируйте эту схему - схема, созданная с помощью CircuitLab}

Пусть Ileak будет током утечки от PNP. Если мы проведем эквивалентный анализ Thevenin от затвора MOSFET с предложенной схемой, напряжение Thevenin будет Ileak·1k, а сопротивление Thevenin 1000 Ом. При исходной схеме напряжение будет Iтечь·1к8 и эквивалентное сопротивление 1980 Ом. Если, например, ток утечки составляет 500 мкА, новая схема будет заряжать конденсатор до 0,5 В (недостаточно для его включения). В оригинале, хотя и медленнее, заряжал бы его до 0,9 (близко к включению).

Пара наблюдений:

1) Общее ли заземление во всей конструкции, включая ATMega? или вы позволяете большому обратному току течь через землю? Падение напряжения из-за протекания сильного тока сдвинет напряжение этой цепи относительно контроллера.

2) Вы переборщили с базами на всех транзисторах. Просто посмотрите на нижнюю часть Q3. Через R1 будет протекать ~ 1 мА, для этого требуется только Ib на Q3 50 мкА, чтобы достичь 10 мА Ic. Но вы сильно заземляете базу Q3 через R4 (2K) => ~ 6 мА. Посмотрите на значения из техпаспорта Moto, стр. 3, рис. 3. Это, безусловно, замедлит его (но не приведет к зависанию). Пока вы находитесь, пересчитайте значения для R4 и R6 и нормализуйте R3 и R5 до значения 11K.

3) То, что встряхивание его меняет состояние, может говорить о том, что у вас перемежающееся короткое замыкание.

Как уже было сказано ранее, я бы еще раз проверил точки смещения BJT, так как они работают довольно жестко, но это не должно быть проблемой. Есть очень, очень, очень малая вероятность того, что их паразитные соединения будут включены, но схема не восстановится, если она не будет отключена, и к этому моменту BJT, вероятно, уже будут бывшими BJT.

Было бы целесообразно взять затворы МОП-транзисторов и снабдить их отдельными резисторами затвора (т. е. по 180 Ом каждый), а затем подключить к R1, чтобы опустить их. Хотя это обычно не проявляется с таким уровнем мощности или стандартными полевыми МОП-транзисторами, вполне возможно, что затворы «звонят» (т. Е. Вы можете видеть, как Q1 и Q2 включаются вперед и назад во время «зависания»). ситуация) между собой с их C и L вместе с любой индуктивностью, лежащей вокруг соединений и цепи, действующей как реактивные элементы.

Как я уже сказал, это небольшой шанс, но его легко попробовать, и с точки зрения хорошей практики я бы просто не стал делить резисторы затвора между полевыми МОП-транзисторами.