В транзисторе с плавающим затвором затвор электрически изолирован. У меня есть несколько вопросов относительно квантовой природы этого устройства:
- Иногда упоминается, что для хранения или снятия зарядов с изолированного затвора используется квантовое туннелирование. Действительно ли здесь необходимо обращение к квантовой механике? Можно ли объяснить этот эффект в рамках классического подхода (например, электрический пробой)?
- Также известно, что со временем может произойти утечка заряда из затвора (даже без подачи напряжения). Это тоже требует квантового туннелирования для объяснения?
- Некоторые квантовые явления можно наблюдать только в когерентной обстановке, когда система достаточно изолирована от своего окружения и поэтому декогерентность не возникает (или невелика). Требует ли когерентности эффект квантового туннелирования в текущем контексте?
- Электроны, хранящиеся в затворе транзистора, - как можно оценить характерное время когерентности после их переноса на затвор? (под «временем когерентности» я подразумеваю время до того, как они сильно запутаются в ближайшем окружении). (Я понимаю, что этот вопрос может не иметь смысла. Если да, я был бы признателен, если бы вы могли объяснить, почему он не имеет смысла.)
- Электроны в затворе — можно ли сказать, что у них дискретный энергетический спектр? Точнее, как можно оценить энергетические зазоры между собственными значениями энергии электронов?